EPIREVO S6 150㎜枚葉式SiCエピタキシャル成長装置

EPIREVO S6 150㎜枚葉式SiCエピタキシャル成長装置

EPIREVO S6は、150㎜ウェハに対応した大口径化、50µm/h以上の高速成膜とロボットによるウェハ高温搬送による高生産性を実現し、従来のSiパワー半導体と比較して高コストなSiCパワー半導体の低コスト化・高品質化に貢献致します。

特長

  • 高生産性

    • 膜厚150µmの連続成長が可能
    • 50µm/hour以上の高速成長を実現
    • SiCエピ10µm成膜相当で1時間あたり4枚のスループットを実現
  • 優れた面内温度分布

    • 100mm ウエハーで面内1℃以下
    • 150mm ウエハーで面内2℃以下
  • 高品質

    • 膜厚分布2%以下(E.E=3mm)、ドーパント濃度4% 以下(EE 6mm)の優れた均一性
    • 0.02 / cm-2以下の低欠陥密度
  • ロボット自動搬送

    • カセット to カセットのウェハハンドリング
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