EPIREVO G8 200㎜枚葉式GaN-on-Si MOCVD装置

EPIREVO G8 200㎜枚葉式GaN-on-Si MOCVD装置

EPIREVO G8は、200㎜Si基板上に高品質なGaNを高速に成膜することで、発光ダイオード(LED)を低コスト化に貢献するMOCVD装置です。 LED用途に加え、パワーデバイス用途にも開発を進め、低炭素社会の実現に貢献致します。

特長

  • 高生産性

    • 9µm/hour以上のGaN膜の高速成長が可能
    • 200℃/minute以上の高速昇温が可能
  • 高品質

    • 200㎜ウェハで面内2度以内の優れた温度分布
    • 1100℃でスリップフリー、Siのメルトバックフリー
  • 低コスト

    • TMGで20%以上の高利用効率
    • In-Situ クリーニングによる高稼働率
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