EPIREVO G8 200㎜枚葉式GaN-on-Si MOCVD装置
EPIREVO G8は、200㎜Si基板上に高品質なGaNを高速に成膜することで、発光ダイオード（LED）を低コスト化に貢献するMOCVD装置です。
LED用途に加え、パワーデバイス用途にも開発を進め、低炭素社会の実現に貢献致します。
特長
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高生産性
- 9µm/hour以上のGaN膜の高速成長が可能
- 200℃/minute以上の高速昇温が可能
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高品質
- 200㎜ウェハで面内2度以内の優れた温度分布
- 1100℃でスリップフリー、Siのメルトバックフリー
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低コスト
- TMGで20％以上の高利用効率
- In-Situ クリーニングによる高稼働率
