エピタキシャル成長装置
高品質エピ膜の高速成長が可能な
枚葉式高速回転エピタキシャル成長装置
特長
コア技術
垂直方向ガスフローと高速ウェーハ回転の組合わせにより、ウェーハ上で極薄で均一な濃度境界層（※）を形成。
薄い濃度境界層は、原料ガスを取込みやすく、又遠心力により副生成物のガスを排出しやすくします。
- （※） 濃度境界層とは、ウェーハ面で成膜反応を生じる厚さ方向の領域を意味します。
ウェーハ高速回転のメリット
回転速度の増加とともに速まる成長速度
回転数の増加と共に原料ガス利用効率が向上し、結果としてエピタキシャル膜の成長速度も向上します。
（出典）当社調べ (HT2000FD)
ウェーハを高速回転させることで炉内の原料ガスの輸送効率が増大し、ウェーハ表面に到達する原料ガス濃度を上げることができます。
この結果、原料ガスの使用量を増やすことなく、成長速度を高めることができます。
装置仕様(HT2000FD)
| ウェーハサイズ | 200mmφ |
|---|---|
| 加熱方式 | 裏面抵抗加熱 |
| プロセス温度 | 800～1,150℃ |
| ウェーハ回転数 | 300～900rpm |
| 圧力 | 93（700）～13.3（100）kPa(Torr) |
| 使用ガス種 | SiHCl3, SiH2Cl2, H2, HCl |
| 外形寸法（本体） | 1,396mm(W) × 2,276mm(D) × 2,350mm(H) |
| 装置重量（本体） | 約2,300Kg |
開発ロードマップ
エピタキシャル成長装置は、ガス制御技術をコア技術として、シリコンウェーハや SiCウェーハ上にシリコンやGaN、 SiCなどの単結晶を成長させるための装置です。
当社では、Siエピタキシャル成長装置「HT2000FD」の高速回転技術を発展させて、GaN on Siエピタキシャル成長装置「EPIREVO™ G8」、SiCエピタキシャル成長装置「EPIREVO™ S6」、 「EPIREVO™ S8」を市場投入しています。※現在、「HT2000FD」は、製造販売を中止しております（保守サービスのみ提供）。
