垂直方向ガスフローと高速ウェーハ回転の組合わせにより、ウェーハ上で極薄で均一な濃度境界層(※)を形成。
薄い濃度境界層は、原料ガスを取込みやすく、又遠心力により副生成物のHClガスを排出しやすくします。
結果として、下記反応は右へ進みやすくなり、20~30%の高い原料ガス利用効率となり、高速成長が可能です。
(※)濃度境界層とは、ウェーハ面で成膜反応を生じる厚さ方向の領域を意味します。
回転数の増加と共に原料ガス利用効率が向上し、結果としてエピタキシャル膜の成長速度も向上していきます。
ウェーハを高速回転させることで炉内の原料ガスの輸送効率が増大し、ウェーハ表面に到達する原料ガス濃度を上げることができます。
この結果、原料ガスの使用量を増やすことなく、成長速度を高めることができます。
ウェーハサイズ | 200mmφ |
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加熱方式 | 裏面抵抗加熱 |
プロセス温度 | 800~1,150℃ |
ウェーハ回転数 | 300~900rpm |
圧力 | 93(700)~13.3(100)kPa(Torr) |
使用ガス種 | SiHCl3, SiH2Cl2, H2, HCl |
外形寸法(本体) | 1,396mm(W) ×2,276mm(D) × 2,350mm(H) |
装置重量(本体) | 約2,300Kg |