垂直方向ガスフローと高速ウェーハ回転の組合わせにより、ウェーハ上で極薄で均一な濃度境界層（※）を形成。
薄い濃度境界層は、原料ガスを取込みやすく、又遠心力により副生成物のHClガスを排出しやすくします。
結果として、下記反応は右へ進みやすくなり、20～30％の高い原料ガス利用効率となり、高速成長が可能です。
（※）濃度境界層とは、ウェーハ面で成膜反応を生じる厚さ方向の領域を意味します。
回転数の増加と共に原料ガス利用効率が向上し、結果としてエピタキシャル膜の成長速度も向上していきます。
ウェーハを高速回転させることで炉内の原料ガスの輸送効率が増大し、ウェーハ表面に到達する原料ガス濃度を上げることができます。
この結果、原料ガスの使用量を増やすことなく、成長速度を高めることができます。
| ウェーハサイズ | 200mmφ |
|---|---|
| 加熱方式 | 裏面抵抗加熱 |
| プロセス温度 | 800～1,150℃ |
| ウェーハ回転数 | 300～900rpm |
| 圧力 | 93（700）～13.3（100）kPa(Torr) |
| 使用ガス種 | SiHCl3, SiH2Cl2, H2, HCl |
| 外形寸法（本体） | 1,396mm(W) ×2,276mm(D) × 2,350mm(H) |
| 装置重量（本体） | 約2,300Kg |
